非极性第ＩＩＩ－Ｖ族氮化物材料及制造方法

摘要

一种于任何适合之异种基板上，生成平坦、低缺陷密度及无应变之厚的非极性第Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料及元件之方法系提供的，该方法使用组建之奈米孔洞及奈米网络顺应层，以最小生成发生于该等奈米孔洞中之一方式，偕同着一HVPE、MOCVD、及整合之HVPE/MOCVD生成方法。该方法制造奈米网络其系由该非极性第Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料及使用以生成该材料之基板所构成，其中，该网络沿着该模板表面系连续的，且其中该等奈米孔洞可以为任何形状。

主权项

一种用于生成非极性第III-V族氮化物材料之方法，其包含：(a)提供一模板材料其包含至少一层之非极性第III-V族氮化物半导体材料；(b)创造一遮罩其系于该模板材料之顶部上；及(c)使用该遮罩于该模板材料中形成至少一奈米孔洞及一奈米网络。