应变加强型半导体装置及用于该半导体装置制作之方法

摘要

本发明系提供一种应变加强型半导体装置及用于该半导体装置制作之方法。一种方法，包括嵌入应变引发(Strain inducing)半导体材料于该装置的源极区(source region)及汲极区(drain region)中来引发装置通道中的应变。薄金属矽化物接触件(metal silicide contact)系形成于该源极区和该汲极区使所引发的应变不致于被消除。一层导电材料系被选择性地沉积而与该薄金属矽化物接触件接触，而金属化接触件(metallized contact)则形成于该导电材料。

主权项

一种用于制造应变加强型半导体装置的方法，该半导体装置包括半导体基板，该半导体基板具有表面，并且包括由形成于该半导体基板中之通道区分隔开的形成于该半导体基板中之源极区和汲极区，以及该半导体装置进一步包括覆于该半导体基板之该表面和该通道区上的闸极电极，该方法包括以下步骤：于该半导体基板中形成凹处；磊晶生长应变引发半导体材料于该凹处中，以于该源极区和汲极区中嵌入该应变引发半导体材料；于嵌入该源极区和汲极区中之该应变引发半导体材料之实质平坦的表面上沈积矽化物形成金属层，并加热，以沿着嵌入该源极区和汲极区中之该应变引发半导体材料之实质平坦的表面直接形成薄金属矽化物接触件；无电镀沈积包括覆于嵌入该源极区和汲极区中之该应变引发半导体材料之实质平坦的表面上的钯之晶种层，其中，该晶种层与该薄金属矽化物接触件物理性接触；无电镀沈积包含覆于该晶种层上的钴和钨的导电层；然后，无需去除任何导电层，沈积覆于该导电层上的绝缘层；蚀刻接触开口穿透该绝缘层；以及于该接触开口中，形成物理地接触该导电层之金属化接触件。