离子植入装置及离子植入方法

摘要

对被处理基板进行正电荷之离子植入时，有时在被处理基板上会发生充电损害。;本发明中，为减轻正电荷离子植入时，二次电子自被处理基板放出而导致充电之情形，在与被处理基板对向之位置设置导体构件，以高频之方式使该导体构件电性接地。且亦可藉由控制赋予被处理基板之RF电力为脉冲状，减低产生于被处理基板之电场强度。

主权项

一种离子植入装置，包含：可减压之处理室；电浆激发机构，在该处理室内激发电浆；固持台，设于该处理室内，用以固持被处理基板；接地板，设于该处理室内该固持台上方与该固持台对向之位置，具有可使该电浆朝该固持台方向透射之部分；及RF电力施加机构，连接于该固持台，并设为对被固持于该固持台上之该被处理基板施加基板偏压用RF电力；且该接地板相对于该RF电力之频率电性接地。