发明名称 |
半导体发光结构 |
摘要 |
一种半导体发光结构,包括一第一掺杂态半导体层、一发光层、一第二掺杂态半导体层、一第一电传导层及复数个第一导体。发光层配置于第一掺杂态半导体层上,且第二掺杂态半导体层配置于发光层上。第一电传导层配置于第一掺杂态半导体层上,其中第一电传导层与第一掺杂态半导体层之间形成一第一接面。这些第一导体彼此互相分离地配置于第一掺杂态半导体层上。第一电传导层连接这些第一导体,每一第一导体与第一掺杂态半导体层之间形成一第二接面,且第二接面的电阻值小于第一接面的电阻值。 |
申请公布号 |
TWI453968 |
申请公布日期 |
2014.09.21 |
申请号 |
TW100117781 |
申请日期 |
2011.05.20 |
申请人 |
广镓光电股份有限公司 台中市大雅区中部科学工业园区科雅路22号 |
发明人 |
李君圣;吴国祯;温伟值 |
分类号 |
H01L51/50;H01L51/56;H01L33/26;H01L33/22;H01L33/10 |
主分类号 |
H01L51/50 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种半导体发光结构,包括:一基板;一第一掺杂态半导体层,配置于该基板上;一发光层,配置于该第一掺杂态半导体层上;一第二掺杂态半导体层,配置于该发光层上;一第一电传导层,配置于该第一掺杂态半导体层上,其中该第一电传导层与该第一掺杂态半导体层之间形成一第一接面;以及复数个第一导体,彼此分离配置于该第一掺杂态半导体层上,其中,该些第一导体其中之一与该第一掺杂态半导体层之间形成一第二接面,且该第二接面的电阻值小于该第一接面的电阻值。 |
地址 |
台中市大雅区中部科学工业园区科雅路22号 |