半导体结构及其制作方法

摘要

一种半导体结构的制作方法，此方法包括提供基底，其具有前表面以及后表面，其中基底之前表面已经形成有元件层以及与元件层电性连接的多个导电柱。对基底之后表面进行薄化程序，以使基底之后表面与导电柱之表面相距一距离。于基底之后表面与导电柱之间的基底中形成多个孔洞，以形成多孔性薄膜。进行氧化程序以使多孔性薄膜反应成氧化材料层。对氧化材料层进行研磨程序，以使导电柱之表面暴露出来。

主权项

一种半导体结构的制作方法，包括：提供一基底，其具有一前表面以及一后表面，其中该基底之该前表面已经形成有一元件层以及与该元件层电性连接的多个导电柱；对该基底之该后表面进行一薄化程序，其中于进行该薄化程序之后，该基底之该后表面与该些导电柱之表面相距一距离；于该后表面与该些导电柱之间的该基底中形成多个孔洞，以形成一多孔性薄膜，其中形成该多孔性薄膜的方法包括：于该基底之该后表面上形成多个导电颗粒，其中形成该些导电颗粒的方法包括进行化学置换程序，该化学置换程序的条件包括将该基底之后表面暴露于20℃~60℃含TaClx(x=2~5)或是TiCly(y=2~4)之水溶液中1分钟~30分钟；以及将该基底放置在一蚀刻溶液之中并进行一电蚀刻程序，以使该蚀刻溶液沿着该些导电颗粒而从该基底之该后表面形成该些孔洞；进行一氧化程序，以使该多孔性薄膜反应成一氧化材料层；进行一低温退火制程以及对该氧化材料层进行一研磨程序，以使该些导电柱之表面暴露出来。