发明名称 |
检查方法和装置,微影装置,微影制程单元及器件制造方法 |
摘要 |
本发明在一影像平面中或附近使用一绕射光谱之量测,以便判定一经曝光基板之一性质。详言之,正第一绕射级及负第一绕射级经分离或发散、侦测且其强度经量测以判定该基板上之经曝光层之叠对(或其他性质)。 |
申请公布号 |
TWI453546 |
申请公布日期 |
2014.09.21 |
申请号 |
TW098113066 |
申请日期 |
2009.04.20 |
申请人 |
ASML荷兰公司 荷兰 |
发明人 |
范 戴 克豪夫 马卡斯 安德纳斯;凡 德 斯加 毛瑞斯;福克斯 安迪亚司;库冈思 马汀 约翰 |
分类号 |
G03F7/20;G02B27/30 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
一种经组态以判定一基板之一性质(property)的检查(inspection)装置,其包含:一辐射源,该辐射源经组态以输出一辐射光束朝向在该基板的一表面上的一叠对目标(overlay target);一准直器,该准直器经组态以在一旦该辐射光束自该叠对目标反射,准直及聚焦该辐射光束,且分离(separate)该经反射辐射光束之一绕射光谱的绕射级(diffraction orders);及一侦测器,该侦测器经组态以侦测该经反射辐射光束之该经分离的绕射级之至少一子集(subset),以判定该子集之第一及第二部分各自的第一及第二性质;及一处理器,该处理器经组态以:判定该基板之该性质,其系系藉由比较定位于一范围内的一平面中的该等第一及第二性质而判定,其中该范围系从该辐射光束朝向该准直器之一影像平面会聚处至该辐射光束自该影像平面发散处;判定该叠对目标相对于该准直器的一光轴(optical axis)之一位置;及根据该叠对目标之该经判定的位置,自该基板的该性质之判定移除相对定位之一误差(error)。 |
地址 |
荷兰 |