反向变质（ＩＭＭ）太阳能电池半导体结构及雷射剥离的方法

摘要

一种反向变质太阳能电池(inverted metamorphic solar cell)半导体结构，系提供外部的雷射进行雷射剥离(laser lift-off，LLO)制程，其包含基底层(substrate layer)、牺牲层(sacrifice layer)、复数能隙层(band-gap)与基板层(handle layer)。其中，该牺牲层系形成于该基底层上，且该牺牲层的材质系选自III-V族所形成之组合物；该等能隙层系形成于该牺牲层上，用以根据吸收来自外部的光源波长，产生相对应的电子电洞移动；以及该基板层系形成于该等能隙层上。藉由本发明使得该雷射光藉由入射该基底层至该牺牲层，使得该牺牲层剥离该等能隙层，进而达到具有高效率的IMM太阳能电池。此外，本发明系一并提出一种反向变质(IMM)太阳能电池半导体结构及雷射剥离的方法。

主权项

一种反向变质太阳能电池(inverted metamorphic solar cell)半导体结构，系提供外部的雷射进行雷射剥离(laser lift-off，LLO)制程，其包含：基底层(substrate layer)；牺牲层(sacrifice layer)，系形成于该基底层上，且该牺牲层的材质系选自III-V族所形成之组合物；复数能隙层(band-gap)，系形成于该牺牲层上，用以根据吸收来自外部的光源波长，产生相对应的电子电洞移动；以及基板层(handle layer)，系形成于该等能隙层上，其中，该牺牲层系透过调整该III-V族所形成之组合物的比例，以调整该牺牲层之晶格常数(lattice constant)与能带间隙(energy band-gap)，用以匹配该基底层。