| 发明名称 |
空白罩幕、光罩及其制造方法 |
| 摘要 |
本揭露案是有关于用于制造在193nm(ArF)及248nm(KrF)之曝光波长下使用之空白罩幕及光罩的方法，且更具体而言，是有关于用于藉由控制目标性质来制造针对化学物及光具有极佳性质之空白罩幕及光罩的方法。根据本揭露案，藉由控制目标晶粒尺寸、密度、晶粒尺寸均一性、密度均一性等，所述所制造之空白罩幕及光罩之金属膜可具有等于或大于2.0g/cm3之膜密度，以及等于或小于20%之密度均一性。而且，对化学物及热去离子水之抗性得以增强，且透射率及反射率之均一变化可达成。 |
| 申请公布号 |
TWI453532 |
申请公布日期 |
2014.09.21 |
| 申请号 |
TW099108553 |
申请日期 |
2010.03.23 |
| 申请人 |
Ｓ＆Ｓ技术股份有限公司 南韩 |
发明人 |
南基守;车韩宣;梁信柱;姜周铉;金昌俊 |
| 分类号 |
G03F1/26;G03F1/50 |
主分类号 |
G03F1/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种空白罩幕，包括：透明基板；金属膜，其形成于所述透明基板上；以及抗蚀剂膜，其形成于所述金属膜上，其中所述金属膜形成于所述透明基板之152mm区上，且具有等于或小于20%之密度均一性及等于或小于20%之晶粒尺寸均一性。 |
| 地址 |
南韩 |
