发明名称 |
使用选择性磊晶之影像感测器电晶体之轻度掺杂汲极 |
摘要 |
本发明之实施例系针对一影像感测器,该影像感测器具有安置于一矽基板中之像素电晶体及周边电晶体。对于一些实施例,一保护性涂层系安置于该等周边电晶体上,且掺杂矽磊晶地生长于该基板上以形成该等像素电晶体的轻度掺杂汲极(LDD)区。该保护性氧化物可用于防止在该等像素电晶体之该等LDD区的形成期间,矽于该等周边电晶体上的磊晶生长。 |
申请公布号 |
TWI453902 |
申请公布日期 |
2014.09.21 |
申请号 |
TW098139156 |
申请日期 |
2009.11.18 |
申请人 |
豪威科技股份有限公司 美国 |
发明人 |
贸伊 都力;戴幸志;罗狄丝 霍华E;凡尼贾 文生;钱胤 |
分类号 |
H01L27/14;H01L29/78;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L27/14 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
一种影像感测器,该影像感测器包括:至少一个像素电晶体,其系安置于一矽基板中或一矽基板上,其中该像素电晶体包含一第一闸极电极及安置于该第一闸极电极及该矽基板之间之一第一介电层,其中该第一介电层系安置于一第一导电类型之该矽基板之一第一部份上;及至少一个周边电晶体,其系安置于该矽基板中或该矽基板上,其中该周边电晶体包含一第二闸极电极及安置于该第二闸极电极及该矽基板之间之一第二介电层,其中该第二介电层系安置于该第一导电类型之该矽基板之一第二部份上,该像素电晶体具有邻接该第一介电层安置之一轻度掺杂汲极(LDD)区,其中该LDD区包括一第二导电类型之磊晶地生长之掺杂矽,且其中该至少一个周边电晶体不包含磊晶地生长之掺杂矽之一LDD区。 |
地址 |
美国 |