发明名称 |
有机薄膜电晶体 |
摘要 |
本发明系提供一种有机薄膜电晶体,包括:闸极;源极;汲极;介电膜;以及有机半导体层,其中,该有机半导体层具有至少一个位于源极和汲极之间的沟槽,以提升感测灵敏度。 |
申请公布号 |
TWI453964 |
申请公布日期 |
2014.09.21 |
申请号 |
TW101106660 |
申请日期 |
2012.03.01 |
申请人 |
台湾永光化学工业股份有限公司 台北市大安区敦化南路2段77号6楼;国立交通大学 新竹市大学路1001号 |
发明人 |
陈皇铭;季维康;周德纲 |
分类号 |
H01L51/05;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L51/05 |
代理机构 |
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代理人 |
陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
一种有机薄膜电晶体,包括:闸极;源极;汲极;介电膜,系形成于该闸极上;以及有机半导体层,系形成于该介电膜上,其中,该介电膜包括闸极绝缘层以分隔该闸极及该有机半导体层,且该有机半导体层具有至少一个沟槽,系位于该源极和汲极之间,且该有机半导体层的厚度为40至60nm。 |
地址 |
新竹市大学路1001号 |