发明名称 有机薄膜电晶体
摘要 本发明系提供一种有机薄膜电晶体,包括:闸极;源极;汲极;介电膜;以及有机半导体层,其中,该有机半导体层具有至少一个位于源极和汲极之间的沟槽,以提升感测灵敏度。
申请公布号 TWI453964 申请公布日期 2014.09.21
申请号 TW101106660 申请日期 2012.03.01
申请人 台湾永光化学工业股份有限公司 台北市大安区敦化南路2段77号6楼;国立交通大学 新竹市大学路1001号 发明人 陈皇铭;季维康;周德纲
分类号 H01L51/05;H01L29/78 主分类号 H01L51/05
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种有机薄膜电晶体,包括:闸极;源极;汲极;介电膜,系形成于该闸极上;以及有机半导体层,系形成于该介电膜上,其中,该介电膜包括闸极绝缘层以分隔该闸极及该有机半导体层,且该有机半导体层具有至少一个沟槽,系位于该源极和汲极之间,且该有机半导体层的厚度为40至60nm。
地址 新竹市大学路1001号