| 发明名称 |
双闸极氧化物装置整合 |
| 摘要 |
本发明提供了一种用于形成装置(10)之方法，该方法包括在一半导体基板(12)中形成一第一区域(24)及一第二区域(20)。该方法此外包括：在该第一区域(24)上形成一半导电材料(30)，其中该半导电材料(30)具有一与该第一半导体基板(12)不同之电性质；在该第一区域(24)上形成一第一介电材料(34)；在该第一介电材料(34)上及在该第二区域(20)上沉积一第二介电材料(42)，其中该第二介电材料(42)不同于该第一介电材料(34)；及在高介电常数材料(42)上沉积一闸电极材料(44)。在一实施例中，半导电材料(30)系矽化锗且半导体基板(12)系矽。 |
| 申请公布号 |
TWI453823 |
申请公布日期 |
2014.09.21 |
| 申请号 |
TW097129047 |
申请日期 |
2008.07.31 |
| 申请人 |
飞思卡尔半导体公司 美国 |
发明人 |
高瑞Ｖ 卡夫;斯里坎斯Ｂ 沙玛维丹;威廉Ｊ 泰勒 二世 |
| 分类号 |
H01L21/314 |
主分类号 |
H01L21/314 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种形成装置之方法，其包含：在一半导体基板中形成一第一区域及一第二区域；在该第一区域上形成一半导电材料，其中该半导电材料具有一与该半导体基板不同之电性质；在该第一区域上形成一第一介电材料；在该第一介电材料上及在该第二区域上沉积一第二介电材料，其中该第二介电材料不同于该第一介电材料；及在该第二介电材料上沉积一闸电极材料。 |
| 地址 |
美国 |
