| 摘要 |
1. Способ производства высокочистых длинномерных кремниевых подложек для процесса Сименса и аналогичных процессов, в котором используют технологический реактор, содержащий подпитывающий кремний-сырец, формообразователь с отверстием, индукционный нагреватель, обеспечивающий столб расплава кремния над формообразователем, и кремневую затравку, подаваемую в отверстие формообразователя снизу; при этом в технологическом реакторе создают кислородсодержащую атмосферу, обеспечивающую создание пленки диоксида кремния на поверхности расплава.2. Способ по п.1, в котором расплав кремния легируется кислородом из кислородсодержащей атмосферы, и пленка диоксида кремния образуется в ходе реакции между расплавом кремния и кислородом.3. Способ по п.1, в котором кремниевая подложка формируется на кремниевой затравке из расплава в направлении силы тяжести.4. Способ по п.1, в котором подпитка осуществляется подачей кремния-сырца на формообразователь сверху, и расплав образуется за счет индукционного нагревания.5. Способ по п.1, в котором кремниевая подложка охлаждается прямым погружением в охлаждающую жидкость и/или парами охлаждающей жидкости в зоне охлаждения подложки в газовой среде.6. Способ по п.5, в котором охлаждающей жидкостью является деионизированная вода.7. Способ по п.1, в котором кремниевая подложка имеет уплощенную форму профиля и увеличенную боковую поверхность и характеризуется плавным увеличением толщины подложки от центра к краям, где соотношение между толщиной средней части подложки, толщиной по краям и шириной подложки составляет (1-2,5):5:(10-30).8. Способ по п.1, в котором давление расплава над формообразовател |
