| 摘要 |
1. Светоизлучающее диодное (СИД) устройство, содержащее:- кристалл (40) СИД, содержащий светоизлучающий полупроводниковый слой (20), эпитаксиально выращенный на подложке роста и продолжающийся, по существу, по всему кристаллу СИД, причем кристалл СИД имеет верхнюю поверхность, содержащую слой (28) растекания тока, покрывающий полупроводниковый слой; и- металлический электродный рисунок (42, 44, 46) на только участке верхней поверхности для пропускания тока через СИД для питания СИД, причем упомянутый электродный рисунок содержит:- множество металлических контактов (42) на верхней поверхности, имеющих ширины между около в 2 и 10 раз больше, чем длина Lпередачи контактов, где длина передачи определяется какгде Rявляется поверхностным сопротивлением в Омах на квадрат слоя растекания тока, а ρявляется контактным удельным сопротивлением границы раздела контакта и слоя растекания тока, выраженным в Ом/м,причем металлические контакты, по существу, блокируют свет, излученный светоизлучающим полупроводниковым слоем; и- металлические соединения (44), соединяющие одни из контактов друг с другом, причем металлические соединения имеют ширины меньше, чем 2L.2. Устройство по п.1, в котором множество металлических контактов на верхней поверхности имеют ширины между около в 2 и 5 раз больше, чем длина Lпередачи контактов.3. Устройство по п.1, в котором полная площадь контактов составляет менее 2% от светоизлучающей поверхности кристалла СИД.4. Устройство по п.1, в котором полная площадь контактов составляет менее 5% от светоизлучающей поверхности кристалла СИД.5. Устройство по п.1, в котором полная площадь контактов составляет менее 10% от светоизлу� |
