| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication de diodes électroluminescentes comprenant les étapes suivantes : a) former des diodes électroluminescentes (5) sur une couche de silicium (1) d'une plaquette de type SOI (1, 2, 3), ladite couche reposant sur un support (2, 3) ; b) coller du côté des diodes électroluminescentes une plaquette de silicium formant capot (7) munie d'un évidement en regard de chaque diode électroluminescente ; c) araser la plaquette de silicium pour former une ouverture en regard de chaque diode électroluminescente ; d) remplir chaque ouverture d'un matériau transparent (21, 23) ; et e) éliminer au moins partiellement le support (3) de la plaquette de type SOI et réaliser des métallisations de connexion et de drain thermique. |
