FinFET mit SiGe-Unterschicht in der Source und dem Drain

摘要

Ein FinFET weist Folgendes auf: ein Substrat; eine Finnenstruktur auf dem Substrat; eine Source in der Finnenstruktur; einen Drain in der Finnenstruktur; einen Kanal in der Finnenstruktur zwischen der Source und dem Drain; eine dielektrische Gate-Schicht über dem Kanal; und ein Gate über der dielektrischen Gate-Schicht. Die Source und/oder der Drain haben eine SiGe-Unterschicht.