| 摘要 |
Ein integrierter Schaltkreis weist eine Anordnung von APS-Zellen auf. Jede Zelle in der Anordnung weist zumindest einen Transistor-Source- oder -Drain-Bereich auf, welcher bezüglich einem Kanalbereich, der in einem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, erhaben ist. Der erhabene Source- oder Drain-Bereich umfasst dotiertes Polysilizium, welches auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers sowie auf einem Bereich des Körpers abgeschieden ist, welcher sich zu dem Kanalbereich erstreckt, welcher durch Diffusion von Dotanden aus dem abgeschiedenen Polysilizium mit einer zu dem Kanalbereich entgegengesetzten Dotierungsart dotiert ist. |
