EIN VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SILIZIUMKARBIDSUBSTRATS FÜR EINE ELEKTRISCHE SILIZIUMKARBIDVORRICHTUNG, EIN SILIZIUMKARBIDSUBSTRAT UND EINE ELEKTRISCHE SILIZIUMKARBIDVORRICHTUNG

摘要

Ein Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbidsubstrats für eine elektrische Siliziumkarbidvorrichtung beinhaltet das Bereitstellen eines Siliziumkarbid-Spenderwafers, der eine Siliziumkristallfläche und eine Kohlenstoffkristallfläche enthält, und Abscheiden einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf der Siliziumkristallfläche. Weiterhin beinhaltet das Verfahren das Implantieren von Ionen mit einer vordefinierten Energiecharakteristik, um eine Implantierungszone innerhalb der Epitaxieschicht auszubilden, so dass die Ionen mit einer mittleren Tiefe innerhalb der Epitaxieschicht entsprechend einer vorgesehenen Dicke einer Epitaxieschicht des herzustellenden Siliziumkarbidsubstrats implantiert werden. Weiterhin umfasst das Verfahren das Bonden eines Akzeptorwafers auf die Epitaxieschicht, so dass die Epitaxieschicht zwischen dem Spenderwafer und dem Akzeptorwafer angeordnet ist. Weiterhin wird die Epitaxieschicht entlang der Implantierungszone geteilt, so dass ein durch den Akzeptorwafer dargestelltes Siliziumkarbidsubstrat mit einer Epitaxieschicht mit der vorgesehenen Dicke erhalten wird.