摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren und System zum Bereitstellen eines magnetischen Übergangs (150) zur Verwendung in einer magnetischen Vorrichtung beschrieben. Der magnetische Übergang (150) umfasst eine Referenzschicht (156), eine nicht-magnetische Abstandhalterschicht (158) und eine freie Schicht (160). Die nicht-magnetische Abstandhalterschicht (158) liegt zwischen der Referenzschicht (156) und der freien Schicht (160). Der magnetische Übergang (150) ist derart ausgestaltet, dass die freie Schicht (160) zwischen einer Mehrzahl von stabilen magnetischen Zuständen umschaltbar ist, wenn ein Schreibstrom durch den magnetischen Übergang (150) geleitet wird. Ein Abschnitt des magnetischen Übergangs (150) umfasst wenigstens eine magnetische Unterstruktur (100). Die magnetische Unterstruktur (100) umfasst wenigstens eine Fe-Schicht (102) und wenigstens eine nicht-magnetische Einfügungsschicht (104). Die wenigstens eine Fe-Schicht (102) teilt sich wenigstens eine Grenzfläche mit der wenigstens einen nicht-magnetischen Einfügungsschicht (104). Jede von der wenigstens einen nicht-magnetischen Einfügungsschicht (104) besteht aus wenigstens einem von W, I, Hf, Bi, Zn, Mo, Ag, Cd, Os und/oder In.</p> |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
CHEPULSKYY, ROMAN;TANG, XUETI;ALPAKOV, DMYTRO;KHVALKOVSKIY, ALEXEY VASILYEVITCH;KROUNBI, MOHAMAD TOWFIK;NIKITIN, VLADIMIR |