| 摘要 |
<p>Ein beispielhaftes hier angegebenes Bauelement umfasst: eine Substratflosse, die in einem Substrat ausgebildet ist, das aus einem ersten Halbleitermaterial besteht, wobei wenigstens eine Seitenwand der Substratflosse im Wesentlichen in einer kristallographischen <100>-Richtung des Kristallaufbaus des Substrats angeordnet ist; einen Ersatzflossenaufbau, der über der Substratflosse angeordnet ist, wobei der Ersatzflossenaufbau aus einem Halbleitermaterial besteht, das sich von dem ersten Halbleitermaterial unterscheidet; und einen Gate-Aufbau, der um wenigstens einen Teil des Ersatzflossenaufbaus herum angeordnet ist.</p> |
