Halbleitervorrichtung

摘要

Eine Transistorvorrichtung (1000) in einem Halbleitersubstrat (100) umfasst eine erste Hauptoberfläche (110) und eine Transistorzelle. Die Transistorzelle umfasst einen Driftbereich (120) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen Bodybereich (130) eines zweiten Leitfähigkeitstyps zwischen dem Driftbereich (120) und der ersten Hauptoberfläche (110), einen aktiven Trench (1100) in der ersten Hauptoberfläche (110), der sich in den Driftbereich (120) erstreckt, einen Sourcebereich (140) des ersten Leitfähigkeitstyps in dem Bodybereich (130) benachbart zu dem aktiven Trench (1100) und einen Bodytrench (1200) an der ersten Hauptoberfläche (110), der sich in den Driftbereich (120) erstreckt und benachbart zu dem Bodybereich (130) und dem Driftbereich (120) ist. Der aktive Trench (1100) umfasst eine Gateisolierschicht (1130) an Seitenwänden (1110) und an einer Bodenseite (1120) sowie eine Gateleiterschicht (1140). Der Bodytrench (1200) umfasst eine leitende Schicht (1260) und eine isolierende Schicht (1250) an Seitenwänden (1210) und einer Bodenseite (1240) asymmetrisch zu einer senkrechten Achse der ersten Hauptoberfläche (110) und der Bodytrenchmitte.