| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit einer optischen Systemachse (OA) und einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung, wobei die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (200, 300) ein erstes polarisationsbeeinflussendes Element (220, 320), welches aus optisch einachsigem Kristallmaterial hergestellt ist und eine zur optischen Systemachse senkrechte erste Orientierung der optischen Kristallachse und eine in Richtung der optischen Systemachse variierende Dicke aufweist, und ein in Lichtausbreitungsrichtung nach dem ersten polarisationsbeeinflussenden Element angeordnetes zweites polarisationsbeeinflussendes Element (230, 330) aufweist, welches aus optisch einachsigem Kristallmaterial hergestellt ist und eine zur optischen Systemachse senkrechte zweite Orientierung der optischen Kristallachse und eine planparallele Geometrie aufweist, wobei die zweite Orientierung von der ersten Orientierung verschieden ist. |
