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<p>Trägerbauteil mit einem Halbleiter-Substrat für elektronische Bauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung Die Erfindung betrifft ein Trägerbauteil (14), welches aus einem Halbleiter-Substrat (11) besteht und Vias (17) zur Durchkontaktierung aufweist. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Trägerbauteils. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Vias bei Raumtemperatur (TR) mit Spiel (t) in die Via-Öffnung eingepasst sind. Dieses Spiel steht für eine Ausdehnung des Via-Kerns im Via (17) zur Verfügung, damit dieser in dem Via-Loch um den Betrag (Δl) gleiten kann, sobald sich das Trägerbauteil (14) infolge von Erwärmung ausdehnt. Die Ausdehnung des Trägerbauteils (14) wird durch Anwendung von Ausgleichsschichten (13a, 3b) beispielsweise aus Silikon so eingestellt, dass diese der axialen Ausdehnung des Via-Kerns genau entspricht. Durch das Spiel (t) sowie sie Ausdehnungskompensation wird sichergestellt, dass die Verbindung, bestehend aus dem Via (17) und 20 Kontaktpads (21) aus Metall, auch bei Betriebstemperatur (TW) frei von Verspannungen bleibt. Dies erhöht vorteilhaft die Bauteilzuverlässigkeit.</p> |
