Organischer Dünnschichttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Ein organischer Dünnschichttransistor umfasst Source- und Drain-Elektroden, zwischen denen ein Kanal definiert ist; eine Oberflächenmodifizierungsschicht umfassend ein teilweise fluoriertes Fulleren auf wenigstens einem Teil der Oberfläche jeder der Source- und Drain-Elektroden; eine organische Halbleiterschicht, die sich über den Kanal erstreckt und in Kontakt mit den Oberflächenmodifikationsschichten befindet; eine Gate-Elektrode; und ein Gate-Dielektrikum zwischen der organischen Halbleiterschicht und dem organischen Gate-Dielektrikum. Die Oberflächenmodifikationsschichten bestehen im wesentlichen aus einem teilweise fluorierten Fulleren.