半导体装置和制造半导体装置的方法

摘要

公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：衬底；氮化物半导体层，被形成在衬底上并包括有源区和元素隔离区，惰性原子被引入元素隔离区中；源电极，被形成在有源区中的氮化物半导体层上；栅电极，与源电极分开地被形成在有源区中的氮化物半导体层上；以及漏电极，与栅电极分开地被形成在有源区中的氮化物半导体层上，漏电极包括端部，该端部被设置为与元素隔离区与有源区之间的边界分开第一距离，其中第一距离大于第二距离，该第二距离是从元素隔离区扩散到有源区的惰性原子的浓度变为第一浓度的距离，有源区中的在惰性原子的浓度高于第一浓度的位置处的电子密度低于有源区的中心部分中的电子密度。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底；氮化物半导体层，被形成在所述衬底上并包括有源区和元素隔离区，惰性原子被引入所述元素隔离区中；源电极，被形成在所述有源区中的所述氮化物半导体层上；栅电极，与所述源电极分开地被形成在所述有源区中的所述氮化物半导体层上；以及漏电极，与所述栅电极分开地被形成在所述有源区中的所述氮化物半导体层上，所述漏电极包括端部，所述端部被设置为与所述元素隔离区与所述有源区之间的边界分开第一距离，其中所述第一距离大于第二距离，所述第二距离是从所述元素隔离区扩散到所述有源区的惰性原子的浓度变为第一浓度的距离，所述有源区中的在所述惰性原子的浓度高于所述第一浓度的位置处的电子密度低于所述有源区的中心部分中的电子密度。