| 发明名称 | 在STI沟槽中形成半导体材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成半导体材料的方法，包括在包含氢气（H<sub>2</sub>）和氯化氢（HCl）以作为工艺气体的环境中对硅区域进行退火。在退火步骤之后，从硅区域的表面处生长半导体区域。 | ||
| 申请公布号 | CN104051267A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201310381600.2 | 申请日期 | 2013.08.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 马丁·克里斯多夫·霍兰德;乔治斯·威廉提斯 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在包括作为工艺气体的氢气（H<sub>2</sub>）和氯化氢（HCl）的环境中对硅区域进行退火；以及在所述退火步骤之后，从所述硅区域的表面处生长半导体区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||