| 发明名称 | 一种用于后栅工艺的光刻胶去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于后栅工艺的光刻胶去除方法，包括：1）于具有多晶硅假栅的晶体管表面形成覆盖所述多晶硅假栅的硬膜层；2）于所述硬膜层表面形成光刻胶并进行曝光，以于欲去除多晶硅的位置形成光刻窗口；3）采用干法刻蚀法去除所述光刻窗口下方的硬膜层和多晶硅；4）对所述光刻胶进行N等离子体处理；5）对所述光刻胶进行F基等离子体处理；6）对所述光刻胶进行灰化处理；7）采用湿法清洗工艺去除所述光刻胶。本发明采用等离子体处理的方法，可以有效地软化并去除在干法刻蚀过程中光刻胶形成的硬质结构，保证了光刻胶被完全去除，提高了晶体管的性能以及产品良率。本发明方法简单，适用于工业生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104051258A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201310080082.0 | 申请日期 | 2013.03.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 隋运奇;李凤莲 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种用于后栅工艺的光刻胶去除方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）于具有多晶硅假栅的晶体管表面形成覆盖所述多晶硅假栅的硬膜层；2）于所述硬膜层表面形成光刻胶并进行曝光，以于欲去除多晶硅的位置形成光刻窗口；3）采用干法刻蚀法去除所述光刻窗口下方的硬膜层和多晶硅；4）对所述光刻胶进行N等离子体处理；5）对所述光刻胶进行F基等离子体处理；6）对所述光刻胶进行灰化处理；7）采用湿法清洗工艺去除所述光刻胶。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||