| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置的制造方法包括：注入工序，从第一导电型的半导体基板(101)的背面进行质子注入；和形成工序，在注入工序后，通过在退火炉中对半导体基板(101)进行退火处理，从而形成比半导体基板(101)具有更高的杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域(101a)，形成工序在使退火炉处于氢气氛，并将氢的容积浓度为6％～30％的条件下进行。由此，在通过质子注入而进行的施主生成中能够实现晶体缺陷降低。另外，能够提高施主化率。 | ||
| 申请公布号 | CN104054159A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201380005459.4 | 申请日期 | 2013.03.18 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 小林勇介;吉村尚 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 尹淑梅;金玉兰 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：注入工序，从第一导电型的半导体基板的背面进行质子注入；和形成工序，通过在所述注入工序后，在退火炉中对所述半导体基板进行退火处理，从而形成比所述半导体基板具有更高的杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域，所述退火炉具有用于防止由氢气引起的爆炸的防爆机构，所述形成工序在使所述退火炉处于氢气氛，并将该氢的容积浓度设为6％～30％的条件下进行。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||