一种片上低通滤波器

摘要

本发明公开了一种片上低通滤波器，由四个P沟道MOS管、两个电容器和一个电流源构成；在现有的片上低通滤波器的基础上，去掉了电路启动的外部控制电路，增加了一个MOS管和电容器，共同构成另一个低通滤波单元，对整个电路的输入高噪声进行低通滤波，从而避免了输入高噪声通过MOS管的寄生电容前馈到输出，提高了片上低通滤波器的滤波性能；该低通滤波单元还与电流源一起构成了快速启动电路，从而省去了现有技术中复杂的控制电路，可以有效节约成本和缩小设计面积。

主权项

一种片上低通滤波器，其特征在于，包括：四个P沟道MOS管，分别为第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）、第三MOS管（M3）和第四MOS管（M4）；两个电容器，分别为第一电容器（C1）和第二电容器（C3）；一个电流源（I1）；其中：所述第一MOS管（M1）和第二MOS管（M2）的源极连接信号输入端；所述第一MOS管（M1）的漏极和第一电容器（C1）的一端连接信号输出端；所述第一MOS管（M1）的栅极连接第三MOS管（M3）的漏极和第二电容器（C3）的一端；所述第二MOS管（M2）的漏极连接第四MOS管（M4）的源极；所述第三MOS管（M3）的源极连接第二MOS管（M2）的栅极，且与第二MOS管（M2）的栅极共同连接在第二MOS管（M2）的漏极与第四MOS管（M4）的源极的连接线上；所述第四MOS管（M4）的漏极与电流源（I1）的负极相连；所述第三MOS管（M3）的栅极连接第四MOS管（M4）的栅极，且与第四MOS管（M4）的栅极共同连接在第四MOS管（M4）的漏极与电流源（I1）负极的连接线上；所述第一电容器（C1）的另一端、第二电容器（C3）的另一端以及电流源（I1）的正极都与参考地（GND）相连；所述第一MOS管（M1）栅极的宽度小于第一MOS管（M1）栅极的长度，第二MOS管（M2）栅极的宽度大于第二MOS管（M2）栅极的长度，且第二MOS管（M2）栅极的宽度远大于第一MOS管（M1）栅极的宽度；所述第三MOS管（M3）栅极的宽度小于第三MOS管（M3）栅极的长度，第四MOS管（M4）栅极的宽度大于第四MOS管（M4）栅极的长度，且第四MOS管（M4）栅极的宽度远大于第三MOS管（M3）栅极的宽度。