一种高压快速软恢复二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高压快速软恢复二极管，包括有源区和终端区两部分；所述有源区的n^-衬底层上表面向上依次设置的p缓冲层、p⁺阳极层和阳极铝电极；以n^-衬底层下表面为底依次向下设置的有源n缓冲层和阴极铝电极，还包括设置在有源n缓冲层和阴极铝电极之间的一个有源p⁺调整区和两个宽度相等的n⁺阴极区，所述有源p⁺调整区设于两个n⁺阴极区之间。本发明终端部分上表面采用沟槽，选择性地除去p型场限环表面的高浓度区，可缓解pn结的弯曲，降低表面电场，有利于提高终端击穿电压，并获得较小的终端尺寸；终端部分下表面的p⁺调整区有利于缓解导通期间有源区与终端区交界处的电流集中，并提高反向恢复软度因子。

主权项

一种高压快速软恢复二极管，其特征在于，包括共用n^‑衬底层的有源区和终端区；所述有源区的n^‑衬底层上表面向上依次设置的p缓冲层、p⁺阳极层和阳极铝电极；以n^‑衬底层下表面为底依次向下设置的有源n缓冲层和阴极铝电极，还包括设置在有源n缓冲层和阴极铝电极之间的一个有源p⁺调整区和两个宽度相等的n⁺阴极区，所述有源p⁺调整区设于两个n⁺阴极区之间；所述终端区的n^‑衬底层上表面的外侧设置有沟槽，所述沟槽远离有源区的一侧设有n⁺截止环，所述沟槽内和n⁺截止环表面设有钝化层；所述终端区的n^‑衬底层上表面的内侧设置有多个互相间隔的p型场限环；还包括在n^‑衬底层下表面向下依次设置的终端n缓冲层、终端p⁺调整区和阴极铝电极；所述终端p⁺调整区与有源区的n⁺阴极区相接触。