发明名称 |
薄膜晶体管及其制作方法 |
摘要 |
一种薄膜晶体管,通过在铟镓锌氧化物层上形成漏极凹槽和源极凹槽,并在漏极凹槽和源极凹槽的槽壁上形成刻蚀阻挡层,使器件工作时源极漏极电流不受背沟道的影响。由于在铟镓锌氧化物层上形成凹槽,使得源极电极和铟镓锌氧化物层之间的接触面到栅极绝缘层的厚度降低,漏极电极和铟镓锌氧化物层之间的接触面到栅极绝缘层的厚度降低,从而降低了源极漏极串联电阻。本发明还公开了一种薄膜晶体管的制作方法。 |
申请公布号 |
CN104051541A |
申请公布日期 |
2014.09.17 |
申请号 |
CN201410250090.X |
申请日期 |
2014.06.06 |
申请人 |
昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
发明人 |
柳冬冬;刘胜芳;刘雪洲;林立 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
唐清凯 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:衬底上的栅电极;所述栅电极上的栅极绝缘层;所述栅极绝缘层上的金属氧化物层,所述金属氧化物层上设有漏极凹槽和源极凹槽;所述金属氧化物层上的刻蚀阻挡层;位于所述漏极凹槽处的漏极电极和位于所述源极凹槽处的源极电极。 |
地址 |
215300 江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号 |