| 发明名称 | 包括伪隔离栅极结构的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包括隔离栅极结构的半导体器件，其中，该器件具有第一有源晶体管、第二有源晶体管、隔离栅极结构以及位于第一有源晶体管、第二有源晶体管和隔离栅极结构下方的有源区。第一有源晶体管和第二有源晶体管都具有第一导电类型的金属栅极（例如，n型和p型中的一种）。隔离栅极结构夹置在第一有源晶体管和第二有源晶体管之间。隔离栅极结构具有第二导电类型的金属栅极（例如，n型和p型中的另一种）。本文还描述了制备这样的器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104051460A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201310241573.9 | 申请日期 | 2013.06.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 冯家馨 |
| 分类号 | H01L27/085(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/085(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种器件，包括：第一有源晶体管和第二有源晶体管，所述第一有源晶体管和所述第二有源晶体管都具有第一导电类型的金属栅极；隔离栅极结构，夹置在所述第一有源晶体管和所述第二有源晶体管之间，所述隔离栅极结构具有第二导电类型的金属栅极；以及有源区，位于所述第一有源晶体管、所述第二有源晶体管和所述隔离栅极结构下方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||