金属薄膜的硅烷或硼烷处理

摘要

氧对一些金属膜的负面作用可以通过使所述膜与包含硅烷或硼烷的处理剂接触而减小或预防。在一些实施方案中，使NMOS栅极堆叠中的一个或多个膜在沉积期间或之后与包含硅烷或硼烷的处理剂接触。

主权项

一种用于形成栅极堆叠的方法，其包括：提供衬底，所述衬底包括电介质材料和在所述电介质材料上的第一含金属薄膜；使所述第一含金属薄膜与硅烷或硼烷化合物接触；在所述衬底与所述硅烷或硼烷化合物接触之后，在所述第一薄膜上沉积第二含金属薄膜。