| 发明名称 | 非磁性种子层方法和装置 | ||
| 摘要 | 根据一个实施例，可配置一种装置，该装置包括：磁性材料的主极层；第二磁性材料层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第一非磁性材料间隙层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第二非磁性材料间隙层，其中第二非磁性材料间隙层直接毗邻第二磁性材料层设置。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，也可利用制造该设备的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104050977A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201410088312.2 | 申请日期 | 2014.03.11 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | 田伟;V·R·印图瑞;D·林;H·殷;邱教明 |
| 分类号 | G11B5/23(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/23(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张东梅 |
| 主权项 | 一种装置，包括：磁性材料的主极层；第二磁性材料层；设置在所述主极层和所述第二磁性材料层之间的第一非磁性材料间隙层；设置在所述主极层和所述第二磁性材料层之间的第二非磁性材料间隙层；其中所述第二非磁性材料间隙层被设置成直接毗邻于所述第二磁性材料层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||