半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体器件，为了改进半导体器件的性能。例如，假设在缓冲层和沟道层之间插入超晶格层，被引入到形成超晶格层的一部分的氮化物半导体层中的受主的浓度高于被引入到形成超晶格层的另一部分的氮化物半导体层中的受主的浓度。也即，被引入到具有小带隙的氮化物半导体层中的受主的浓度高于被引入到具有大带隙的氮化物半导体层中的受主的浓度。

主权项

一种半导体器件，包括：超晶格层，包括第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层的层叠结构，所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙；其中，被引入到所述第一氮化物半导体层中的导电杂质的浓度大于被引入到所述第二氮化物半导体层中的导电杂质的浓度。