发明名称 编程记忆胞的方法与装置
摘要 本发明是有关于一种编程记忆胞的方法与装置。该编程记忆胞的方法,包括施加一编程电压至一记忆胞阵列中的一被选择记忆胞,以及施加一邻近通过电压至一邻近记忆胞,该邻近记忆胞相邻于该被选择记忆胞,增加该编程电压以编程该被选择记忆胞,增加该邻近通过电压以编程该被选择记忆胞。
申请公布号 CN104051017A 申请公布日期 2014.09.17
申请号 CN201310282284.3 申请日期 2013.07.04
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 张馨文;张耀文;赵元鹏
分类号 G11C16/34(2006.01)I 主分类号 G11C16/34(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种编程记忆胞的方法,其特征在于其包括以下步骤:施加一编程电压至一记忆胞阵列中的一被选择记忆胞,施加一邻近通过电压至一邻近记忆胞,该邻近记忆胞相邻于该被选择记忆胞;增加该编程电压;以及增加该邻近通过电压。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号