半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，分离栅结构形成在衬底的单元区上，衬底包括单元区和逻辑区。逻辑区具有高压区域、超高压区域和低压区域，分离栅结构包括第一栅极绝缘层图案、浮置栅极、隧道绝缘层图案和控制栅极。间隔物层形成在分离栅结构和衬底上。间隔物层被蚀刻以在分离栅结构的侧壁上形成间隔物以及在衬底的超高压区域上形成第二栅极绝缘层图案。栅电极形成在衬底的高压区域、第二栅极绝缘层图案和衬底的低压区域的每个上。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底的单元区上形成分离栅结构，所述衬底包括其中形成存储器单元的所述单元区和其中形成逻辑元件的逻辑区，所述逻辑区具有高压区域、超高压区域和低压区域，所述分离栅结构包括第一栅极绝缘层图案、浮置栅极、隧道绝缘层图案和控制栅极；在所述分离栅结构和所述衬底上形成间隔物层；蚀刻所述间隔物层以形成间隔物和第二栅极绝缘层图案，所述间隔物形成在所述分离栅结构的侧壁上，所述第二栅极绝缘层图案形成在所述衬底的所述超高压区域上；以及在所述高压区域、所述第二栅极绝缘层图案和所述低压区域上形成栅电极。