发明名称 透明导电体及其制备方法
摘要 本发明涉及一种透明导电体及其制备方法,该透明导电体包括透明基板、第一介质层、第二介质层、第一导电层及第二导电层,第一介质层及第二介质层依次层叠于透明基板上,第一导电层及第二导电层分别嵌设于第一介质层及第二介质层中,第一导电层及第二导电层相互绝缘,且第一导电层及第二导电层均由金属网格形成,第一导电层及第二导电层中,金属网格的线宽为0.2微米~5微米,相邻两条金属网格线之间的距离为50微米~500微米。金属替代了昂贵的铟锡氧化物,并且制备过程中无需进行刻蚀和搭桥,能够节约原料和简化制备过程,金属网格的线宽及相邻两条金属网格线之间的距离能够保证较大的可视区面积,使得透明导电体价格较低、透光率较高。
申请公布号 CN103413593B 申请公布日期 2014.09.17
申请号 CN201310109660.9 申请日期 2013.03.30
申请人 深圳欧菲光科技股份有限公司 发明人 唐根初;董绳财;刘伟;唐彬
分类号 H01B5/14(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;G06F3/044(2006.01)N;G06F3/041(2006.01)N 主分类号 H01B5/14(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 邓云鹏
主权项 一种透明导电体,其特征在于,包括透明基板;第一介质层,层叠于所述透明基板上;第一导电层,嵌设于所述第一介质层中;第二介质层,层叠于所述第一介质层上;第二导电层,嵌设于所述第二介质层中;其中,所述第一导电层与第二导电层相互绝缘,所述第一导电层及第二导电层均由金属网格形成,所述第一导电层及第二导电层中,金属网格的线宽为0.2微米~5微米,相邻两条金属网格线之间的距离为50微米~500微米;且所述第一导电层的金属网格线的中心线与所述第二导电层的金属网格线的中心线重合;所述第二导电层的相邻两条金属网格线的距离为所述第一导电层的相邻两条金属网格线的距离的整数倍。
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