一种基于硅层转移技术（SOLT）的高精度加速度计的加工方法

摘要

本发明公开了一种基于硅层转移技术(SOLT)的高精度加速度计的加工方法。加速度计包括自上而下依次连接的上电极板，可动硅敏感结构件，下电极板，该方法包括：采用玻璃片或单晶硅圆片为基片加工上电极板和下电极板；以单器件层SOI片为基片加工可动硅敏感结构件并与下电极板基于键合方式连接；去除SOI片的衬底层和埋氧层；在原SOI片器件层刻蚀释放可动硅敏感结构件并与上电极板基于键合方式连接。本发明通过硅器件层转移和键合方法加工出三明治结构的差动电容敏感元件，实现敏感结构件的双面加工与结构释放，克服了牺牲层释放技术的固支结构尺寸难以精确控制的缺点，降低了工艺难度和制造成本。并且，所制备的弹性梁-质量块结构具有通用性。

主权项

一种基于硅层转移技术(SOLT)的高精度加速度计的加工方法，加速度计包括自上而下依次连接的上电极板，弹性梁‑质量块结构的可动硅敏感结构件，下电极板，其特征在于，所述方法包括以下步骤：电极板加工步骤：采用玻璃片或单晶硅圆片作为基片，加工所述上电极板和下电极板；硅器件层转移步骤：以单器件层SOI单晶硅圆片作为基片，在器件层加工表面电极和电容间隙；所述SOI单晶硅圆片与所述下电极板基于键合方式连接；去除SOI单晶硅圆片的衬底层和埋氧层；可动硅敏感结构件加工步骤：在原SOI单晶硅圆片器件层背面加工表面电极和电容间隙；刻蚀形成所述弹性梁‑质量块结构的可动硅敏感结构件；键合步骤：将所述与可动硅结构组件键合的下电极板与所述上电极板基于键合方式连接。