多结太阳能电池的半成品以及制造多结太能电池的方法

摘要

本发明涉及一种多结太阳能电池的半成品，其具有：构造为第一子太阳能电池的半导体本体，该半导体本体具有第一带隙；构造为第二子太阳能电池的半导体本体，该半导体本体具有第二带隙，其中，第一半导体本体和第二半导体本体构造成与隧道二极管进行材料锁合地连接，并且第一带隙构造为不同于第二带隙；以及构造为衬底层的第一载体材料，其中，在第一载体材料和第一子太阳能电池之间构造有牺牲层，并且在牺牲层破坏的情况下将第一载体材料从第一半导体本体去除。

主权项

一种多结太阳能电池(10)的半成品，其具有：‑一构造为第一子太阳能电池的半导体本体(40)，所述半导体本体具有第一带隙，‑一构造为第二子太阳能电池的半导体本体(50)，所述半导体本体具有第二带隙，其中，所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)与一隧道二极管材料锁合连接，并且所述第一带隙构造为不同于所述第二带隙，‑一构造为衬底层(20)的第一载体材料，并且在所述第一载体材料和所述第一子太阳能电池之间构造有牺牲层(30)，其特征在于：‑所述衬底层(20)构造为GaAs衬底或者InP衬底或者Ge衬底，并且‑所述牺牲层(30)具有第三带隙，其中，所述第三带隙小于所述第一带隙并且小于所述第二带隙，并且‑所述第三带隙小于1.2eV，并且‑包括所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)的堆叠构造为对于以红外波长范围入射的电磁辐射是透明的，并且‑所述牺牲层(30)具有处于红外光谱范围内的吸收带，从而使得穿过所述堆叠入射的电磁能量仅仅在所述牺牲层中被吸收，以便在破坏所述牺牲层的情况下将所述第一载体材料从所述第一半导体本体去除。