具有射频屏蔽的系统、半导体器件及其制造方法

摘要

根据本发明的一种实施方式，提供一种半导体器件，所述半导体器件具有前侧表面、后侧表面和垂直表面。半导体器件包括有源器件管芯，在前侧表面上具有电触点。覆盖金属屏蔽位于有源器件管芯的后侧表面和垂直表面。导电连接将覆盖金属屏蔽连接到前侧表面上选定的电触点。

主权项

一种从晶圆衬底制造硅器件的方法，所述晶圆衬底具有前侧表面和后侧表面，所述硅器件具有射频屏蔽，其特征在于：所述方法包括：将晶圆衬底的后侧表面附着到划片膜上，所述晶圆衬底的前侧表面上具有数个有源器件；对晶圆衬底进行划片，并拉伸划片膜，以将数个有源器件分离为数个分开的器件，每个分开的器件具有前侧表面；将粘性膜施加到分开的器件上，粘性膜保护每个分开的器件的前侧表面并保持其他表面暴露；去除划片膜，暴露每个分开的器件的后侧表面；将分开的器件浸入镀覆溶液；以及将分开的器件保持于镀覆溶液中直至每个分开的器件的暴露表面上被沉积具有厚度的金属。