全包围栅晶体管的可变栅极宽度

摘要

本文中描述了具有一个或多个有效纳米线和一个或多个无效纳米线的基于纳米线的全包围栅晶体管器件。还描述了制造这种器件的方法。本发明的一个或多个实施例涉及改变包括具有不同数量的纳米线的纳米线堆叠体的晶体管结构的栅极宽度的方法。所述方法包括通过分离沟道区、掩埋源极和漏极区或二者来使一定数量的纳米线无效(即从而电流不流过纳米线)。总的来说，可以通过使一定数量的纳米线无效、而保持其它纳米线为有效来改变具有多个纳米线的基于纳米线的结构的栅极宽度。

主权项

一种半导体器件，包括：设置于衬底之上的多个垂直堆叠的纳米线，其中所述纳米线中的一个纳米线是有效纳米线，并且所述纳米线中的一个纳米线是无效纳米线；环绕所述有效纳米线的栅极结构，其限定了所述器件的沟道区；以及在所述沟道区的相对的侧上的源极区和漏极区。