CVD反应器和用于CVD反应器的基板支架

摘要

本发明涉及一种CVD反应器，具有反应器壳体(1)和处理室(4)，借助进气机构(2)能将处理气体输入处理室(4)内；具有基板支架(3)，其上侧(3’)具有一个或多个凹槽，如此设计使得基板(7)仅安设在相对于凹槽的底部被升高的支承区域(6)上；具有加热器(9)，其通过间隙与基板支架(3)的下侧(3”)间隔，基板支架(3)的下侧(3”)在处于凹槽(5)中心区域下面的区域(b)内在从加热器(9)至基板支架(3)的热传递方面设计得与包围区域(b)的、处于凹槽(5)靠近边缘区域下方的周边区域(a)不同。加热器(9)设计为基本平坦的热源。气体冲洗装置(11)借助冲洗气体冲洗间隙(12)。间隙(12)具有间隙高度(s，t)，当从具有第一导热率的第一冲洗气体更换为具有第二导热率的第二冲洗气体时，在周边区域(a)内从加热器(9)至基板支架(3)的热量传输所发生的变化与在区域(b)内是不同的。

主权项

一种CVD反应器，具有反应器壳体(1)和安置在其内的处理室(4)，借助进气机构(2)能够将至少一种处理气体输入所述处理室(4)内，所述CVD反应器还具有基板支架(3)，所述基板支架(3)在其朝向所述处理室(4)的上侧(3’)具有一个或多个凹槽(5)，如此设计所述凹槽(5)，使得基板(7)相应地仅安设在所选择的、相对于所述凹槽(5)的底部(5’)被升高的支承区域(6)上，所述CVD反应器还具有安置在所述基板支架(3)下方的加热器(9)，所述加热器(9)通过间隙(12)与所述基板支架(3)的下侧(3”)相间隔，其中，所述基板支架(3)的下侧(3”)在处于所述凹槽(5)的中心区域下面的中央区域(b)内在从所述加热器(9)至所述基板支架(3)的热传递方面设计得与包围所述中央区域(b)的、处于所述凹槽(5)的靠近边缘区域下方的周边区域(a)不同，其特征在于，所述加热器(9)被设计为基本平坦的热源，设置有气体冲洗装置(11)，用于借助具有不同导热率的冲洗气体冲洗所述间隙(12)，并且所述间隙(12)具有这样的间隙高度(s，t)，使得当从具有第一导热率的第一冲洗气体更换为具有第二导热率的第二冲洗气体时，在所述周边区域(a)内从所述加热器(9)至所述基板支架(3)的热量传输所发生的变化与在所述中央区域(b)内是不同的。