具有通过栅植入的深N阱的晶体管

摘要

本申请涉及具有通过栅植入的深N阱的晶体管。一种制造CMOS集成电路(IC)的方法(300)，该方法包括：在上面具有第一栅堆的衬底的露出衬底表面的p区域的第一掩模级植入第一n型杂质以形成NLDD区域，用于IC上的多个n沟道MOS(NMOS)晶体管的至少一部分形成n源/漏扩展区域(304(a))。在上面具有第二栅堆的衬底表面中露出n区域的第二掩模级植入p型杂质，以形成针对IC上的多个p沟道MOS(PMOS)晶体管的至少一部分的PLDD区域。逆向植入第二n型杂质(306)，包括通过第一栅堆以形成用于NMOS晶体管的一部分的深的n阱(DN阱)。与NLDD区域下方的相比，DN阱在第一栅堆下方的深度较浅。

主权项

一种制造互补金属氧化物半导体即CMOS集成电路即IC的方法，该方法包括：在上面具有第一栅堆的衬底的露出衬底表面的p区域的第一掩模级植入第一n型杂质，用于形成n型轻掺杂漏区域即NLDD区域，以针对所述IC上的多个n沟道MOS即NMOS晶体管的至少一部分提供n源/漏扩展区域；在上面具有第二栅堆的所述衬底表面露出n区域的第二掩模级植入p型杂质，用于形成p型轻掺杂漏区域即PLDD区域，以针对所述IC上的多个p沟道MOS即PMOS晶体管的至少一部分提供n源/漏扩展区域；以及穿过所述第一栅堆逆向植入第二n型杂质，以形成用于所述多个NMOS晶体管的所述部分的深的n阱即DN阱，其中与在所述NLDD区域下方的所述DN阱的深度相比，所述DN阱的深度在所述第一栅堆下方较浅。