| 发明名称 | 电阻式存储器装置与其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电阻式存储器装置结构与其制造方法，制造方法包括以下步骤：提供一底电极，底电极包括一金属；形成一存储层于底电极上；存储层包括一第一层与一第二层，第一层包括金属氧化物，第二层包括含氮的金属氧化物；形成一顶电极于存储层上。 | ||
| 申请公布号 | CN104051618A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201310379907.9 | 申请日期 | 2013.08.28 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈怡月;简维志 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种存储器装置的制造方法，包括：提供一底电极；形成一存储层于该底电极，该存储层包括一含氮的金属氧化物；形成一顶电极于该含氮的金属氧化物上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||