| 发明名称 | 一种防止铝垫腐蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种防止铝垫腐蚀的新方法，包括：对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝化层进行光刻；对光刻后的钝化层进行刻蚀；退火；晶片允收测试；目检；出货，其中，还包括工艺步骤为，在晶片允收测试工步与目检工步之间实施对铝垫进行无定形碳淀积以及等离子体灰化和清洗。通过使用本发明一种防止铝垫腐蚀的新方法，有效地通过对铝垫进行无定形碳淀积以防止铝垫受到水汽与卤素等因素的影响，同时大大的延长了晶片的保存时间。 | ||
| 申请公布号 | CN102637580B | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201210090329.2 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 胡学清;郑春生 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种防止铝垫腐蚀的新方法，包括：对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝化层中的至少氮化膜钝化层进行光刻；对光刻后的氧化膜钝化层和氮化膜钝化层进行刻蚀；退火；晶片允收测试；目检；出货，其特征在于，还包括工艺步骤为，在晶片允收测试工步与目检工步之间实施对铝垫进行无定形碳淀积后入库保存、出库以及等离子体灰化和清洗。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||