| 发明名称 | 半导体装置与其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种半导体装置与其制造方法。该半导体装置，包括一绝缘结构。该绝缘结构形成于一沟渠中。该绝缘结构具有一覆盖氧化层与一基底氧化层，该基底氧化层容纳该覆盖氧化层。该绝缘结构的顶面为平面。一氧化工艺将氮自绝缘结构的一顶部移除，使该绝缘结构的顶部具有一平衡的蚀刻速率且绝缘结构的顶部为一平坦的顶面。 | ||
| 申请公布号 | CN104051500A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201310407501.7 | 申请日期 | 2013.09.09 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 蓝国毓 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于其包括：沟渠，形成于半导体基板中；以及绝缘结构，形成于该沟渠中，该绝缘结构包括：覆盖氧化层；及基底氧化层；其中该基底氧化层容纳该覆盖氧化层，且该绝缘结构的顶面为平面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||