| 发明名称 | 自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，能够通过与衬底支架的贴紧度良好，且减少GaN自支撑衬底的翘曲来提高氮化物半导体元件的合格品成品率。使用正面(Ga面)(2)被镜面研磨且反面(N面)(3)的算术平均粗糙度Ra通过磨光后的蚀刻处理成为1μm或以上、10μm或以下(与气相生长装置的衬底支架进行面接触的粗糙度)的GaN自支撑衬底(1)，根据气相生长法制造氮化物半导体元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1979887B | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN200610110668.7 | 申请日期 | 2006.08.07 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 河口裕介;目黑健 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种自支撑氮化镓半导体单晶衬底，作为正面的Ga面被镜面研磨，其特征在于：作为反面的N面的算术平均粗糙度Ra为7μm以上、10μm以下，并且去除反面的加工变形层，使衬底的翘曲变小。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||