发明名称 一种改进型米勒补偿放大器
摘要 本发明提供一种改进型米勒补偿放大器,其包括跨导放大器、补偿电容、补偿电阻、NMOS晶体管和偏置电流源。跨导放大器的负相输入端与输入信号相连,其正相输入端与米勒补偿放大器的输出端相连,其输出端经补偿电阻与NMOS晶体管的栅极相连;偏置电流源连接于电源端和NMOS晶体管的漏极之间,其向NMOS晶体管的漏极注入电流;补偿电容的一端与NMOS晶体管的栅极相连,其另一端与NMOS晶体管的漏极相连,NMOS晶体管的源极与接地端相连;电流源与NMOS晶体管之间的连接节点与米勒补偿放大器的输出端相连。与现有技术相比,本发明在第一级放大级和第二级放大级之间串接补偿电阻,这样,在实现相同主极点位置的情况下,需要的补偿电容的电容值更小,从而可以减小补偿电容的面积。
申请公布号 CN104052412A 申请公布日期 2014.09.17
申请号 CN201410247908.2 申请日期 2014.06.05
申请人 无锡中星微电子有限公司 发明人 王才宝;王钊
分类号 H03F1/30(2006.01)I 主分类号 H03F1/30(2006.01)I
代理机构 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人 庞聪雅
主权项 一种改进型米勒补偿放大器,其特征在于,其包括跨导放大器、补偿电容、补偿电阻、NMOS晶体管和偏置电流源,所述跨导放大器的负相输入端与输入信号相连,其正相输入端与米勒补偿放大器的输出端相连,其输出端经补偿电阻与所述NMOS晶体管的栅极相连;偏置电流源连接于电源端和所述NMOS晶体管的漏极之间,其向所述NMOS晶体管的漏极注入电流;补偿电容的一端与所述NMOS晶体管的栅极相连,其另一端与所述NMOS晶体管的漏极相连,所述NMOS晶体管的源极与接地端相连;所述电流源与NMOS晶体管之间的连接节点与米勒补偿放大器的输出端相连。
地址 214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层