磁阻随机存取存储器器件及其制造方法

摘要

在MRAM器件的方法中，在衬底上沿着第二方向交替地并且重复地形成第一和第二图案。每个第一图案和每个第二图案在垂直于第二方向的第一方向上延伸。第二图案的一些被去除以形成在第一方向上延伸的第一开口。形成填充第一开口的源极线。在第一和第二图案以及源极线上形成掩模。掩模包括在第一方向上的第二开口，每个第二开口在第二方向上延伸。第二图案通过第二开口暴露的部分被去除以形成第三开口。形成填充第三开口的第三图案。被第一和第三图案围绕的第二图案被去除以形成第四开口。形成填充第四开口的接触插塞。

主权项

一种制造磁阻随机存取存储器器件的方法，包括：在衬底上沿着第二方向交替地并且重复地形成第一和第二图案，所述第二方向平行于所述衬底的顶表面，每个所述第一图案和每个所述第二图案在第一方向上延伸，所述第一方向平行于所述衬底的所述顶表面并且垂直于所述第二方向；去除所述第二图案的一些以形成第一开口，每个所述第一开口沿着所述第一方向延伸；在所述第一开口中形成源极线；在所述第一和第二图案以及所述源极线上形成掩模，所述掩模包括沿着所述第一方向彼此间隔开的多个第二开口，每个所述第二开口沿着所述第二方向延伸；去除所述第二图案通过所述第二开口暴露的部分以形成第三开口；在所述第三开口中形成第三图案；去除被所述第一和第三图案围绕的所述第二图案以形成第四开口；以及在所述第四开口中形成接触插塞。