| 发明名称 | 成像传感器结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于制造三维（3D）图像传感器结构的方法的实施例。该方法包括：提供在其中形成图像传感器并且在其上形成第一互连结构的图像传感器衬底、以及在其中形成逻辑电路并且在其上形成第二互连结构的逻辑衬底；以第一和第二互连结构夹置在逻辑衬底和图像传感器衬底之间的构造，将逻辑衬底接合至图像传感器衬底；以及形成从逻辑衬底延伸到第一互连结构的导电部件，由此将逻辑电路电耦合至图像传感器。本发明还提供了图像传感器结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104051487A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201410090101.2 | 申请日期 | 2014.03.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;庄俊杰;洪丰基;蔡纾婷;林政贤;蔡双吉;许文义 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种用于制造三维（3D）图像传感器结构的方法，包括：提供其中形成有图像传感器且其上形成有第一互连结构的图像传感器衬底、以及其中形成有逻辑电路且其上形成有第二互连结构的逻辑衬底；以所述第一互连结构和所述第二互连结构夹置在所述逻辑衬底和所述图像传感器衬底之间的构造，将所述逻辑衬底接合到所述图像传感器衬底；以及形成从所述逻辑衬底延伸到所述第一互连结构的导电部件，由此将所述逻辑电路电耦合至所述图像传感器。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||